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J-GLOBAL ID：200903051387981836

光半導体素子およびその製造方法

Inventor： 北村 光弘 ,  佐々木 達也 ,  阪田 康隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337967
Publication number (International publication number)：1994260727
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 バンドギャップエネルギー(Eg )の異なるMQW構造を有する光導波領域を導波路方向で集積した半導体光集積回路をMOVPE選択成長を用いて形成する場合に、半導体のエッチングを用いないというMOVPE選択成長の特徴を活かしたままで、Eg 差の拡大を実現する。【構成】 MQW層5は、Eg の小さな領域では絶縁膜ストライプマスクを用いて選択的に形成し、Eg の大きな領域では全面に形成する。クラッド層7は、両方の領域に形成したストライプマスクを用いて、Eg の小さな領域ではMQW構造を覆うように、またEg の小さな領域ではリッジ導波路構造となるようにそれぞれ選択的に形成する。【効果】 半導体のエッチングを用いることなくEg 差を拡大でき、素子特性を改善できる。また曲線光導波路との集積も可能となる。

Claim (excerpt)：

第1光導波層が全面に形成された半導体基板上において、ある領域では、少なくとも量子井戸層からなる第2光導波層がストライプ状に形成され、一方途切れることなく別の領域では全面に形成されており、さらに半導体クラッド層がストライプ状に形成された前記第2光導波層を覆うように、また全面に形成された前記第2光導波層の上ではストライプ状の凸部となるようにそれぞれ形成されたことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-100291
  
• 特開平4-100291
  
• 特開平2-119285