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J-GLOBAL ID：200903051392986811

半導体装置の製造方法

Inventor： 鮎川 あきつ ,  大西 茂夫
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264020
Publication number (International publication number)：1993102183
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】 側壁にサイドウォールが形成されたゲート電極がゲート酸化膜を介して配設されている半導体基板のソース/ドレイン領域となる部分に、酸化膜を介して不純物をイオン注入して中温熱処理を行う工程、半導体基板上の酸化膜を除去した後、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行う工程を含む半導体装置の製造方法。【効果】 酸化膜を通してイオン注入された半導体基板に生じる挿入型の欠陥が、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行うことで、空孔を半導体基板内に強制的に導入することができ、それにより欠陥のない不純物拡散領域が形成できる。従って、リーク電流を低下させることができ、歩留りを向上させる効果がある。

Claim (excerpt)：

側壁にサイドウォールが形成されたゲート電極がゲート酸化膜を介して配設されている半導体基板のソース/ドレイン領域となる部分に、酸化膜を介して不純物をイオン注入して中温熱処理を行う工程、半導体基板上の酸化膜を除去した後、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 H