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J-GLOBAL ID:200903051401078656
不揮発性半導体メモリ用データ書込管理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993070207
Publication number (International publication number):1994282484
Application date: Mar. 29, 1993
Publication date: Oct. 07, 1994
Summary:
【要約】【構成】 フラッシュメモリのためのデータ書込管理装置であって、フラッシュメモリの各ブロックについて書込(および消去)が行なわれたことを検出するブロック書込検出回路を備える。CPU1は、各ブロックについて書込回数をカウントしており、新たなデータの書込は、書込回数の少ないブロックについて優先的に行なわれる。【効果】 フラッシュメモリにおけるブロックについて平均的にデータ書込が行なわれるので、一部のブロックにデータ書込が集中するのが防がれ、その結果フラッシュメモリの寿命が実質的に延長され得る。
Claim (excerpt):
不揮発性半導体メモリにおけるデータ書込ブロックを管理するデータ書込管理装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、不揮発性半導体メモリ素子によって構成されたメモリセルアレイを含み、前記メモリセルアレイは、各々がアクセス可能な単位である複数のブロックに分けられ、各前記複数のブロックごとにデータの書込回数を記憶する書込回数記憶手段と、前記書込回数記憶手段を参照することにより、書込回数の最も少ないブロックを検出するブロック検出手段と、前記ブロック検出手段によって検出されたブロックに対し、データ書込を実行するデータ書込手段とを含む、不揮発性半導体メモリ用データ書込管理装置。
IPC (3):
G06F 12/02 510
, G06F 12/16 310
, G11C 16/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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情報記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-269432
Applicant:東京電気株式会社
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メモリカード装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-200519
Applicant:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
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半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-197318
Applicant:インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
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