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J-GLOBAL ID：200903051434351455

半導体不揮発性記憶装置

Inventor： 荒瀬 謙士朗 ,  中川原 明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124892
Publication number (International publication number)：1995334991
Application date： Jun. 07, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】ドレインディスターブを低減でき、また、マスク製作に要する時間の長時間化を抑制できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】書き込み/読み出し回路6にて「1」データを書き込むべきワード線数が全ワード線数Nの半分以下の場合は、書き込みデータの位相を正転状態のままでデータの書き込みを行い、補助ワードメモリ部12に正転状態で書き込んだ旨を記録し、「1」データを書き込むべきワード線数がN/2以上の場合は、書き込みデータの位相を反転させてデータの書き込みを行い、補助ワードメモリ部12に位相反転状態で書き込んだ旨を記録し、データ読み出し時には、補助ワードメモリ部12に記録されている書き込み時の位相情報を読み出した後に、正規メモリ部11のメモリセルに対する読み出しを行い、読み出した位相情報に基づいて読み出しデータが「1」データであるか「0」データであるかを判定する。

Claim (excerpt)：

複数のワード線とビット線とを備え、半導体不揮発性記憶素子が行列状に配列された不揮発性記憶アレイと、上記不揮発性記憶アレイのビット線毎に記憶情報の極性を記憶する補助記憶手段とを有する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 17/18 ,  G11C 16/06

FI (4)：

G11C 17/00 307 D ,  G11C 17/00 306 A ,  G11C 17/00 510 A ,  G11C 17/00 520 Z