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J-GLOBAL ID：200903051435601293

電界効果型トランジスタ

Inventor： 水田 正志 ,  葛原 正明 ,  梨本 泰信 ,  麻埜 和則 ,  三好 陽介 ,  望月 康則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020088
Publication number (International publication number)：2001230263
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い耐圧特性と、良好な利得特性、さらには良好な高周波特性を兼ね備えた電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】フィールドプレート部9とチャネル層2との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜4を設ける。高誘電体材料としては、たとえば酸化タンタル(Ta2O5)を用いる。

Claim (excerpt)：

表面にチャネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、ドレイン電極側に庇状のフィールドプレート部を備え、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812