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J-GLOBAL ID：200903051438072640

熱電半導体材料の製造方法

Inventor： 福田 克史 ,  佐藤 泰徳 ,  梶原 健
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所 ,  小松エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 木村 高久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998063724
Publication number (International publication number)：1999261119
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】十分な強度と性能を具備し、製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供する。【解決手段】 本発明の方法では、菱面体構造(六方晶構造)を有する熱電半導体の粉末焼結材を熱間で鍛造し、塑性変形させることで、粉末焼結組織の結晶粒が性能指数の優れた結晶方位に配向するように形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

所望の組成をもつように材料粉末を混合し、加熱溶融せしめる加熱工程と、菱面体構造(六方晶構造)を有する熱電半導体材料の固溶インゴットを形成する凝固工程と、前記固溶体インゴットを粉砕し固溶体粉末を形成する粉砕工程と、前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工程と、粒径の均一となった前記固溶体粉末を加圧焼結せしめる焼結工程と、この粉末焼結体を熱間で塑性変形させ、前記焼結工程における加圧方向と垂直に加圧しつつ展延することで、粉末焼結組織の結晶粒を性能指数の優れた結晶方位に配向せしめる熱間すえこみ鍛造工程とを含むことを特徴とする熱電半導体材料の製造方法。

IPC (5)：

H01L 35/34 ,  C22C 1/04 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 ,  B22F 3/24

FI (5)：

H01L 35/34 ,  C22C 1/04 E ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A ,  B22F 3/24 D