Pat
J-GLOBAL ID：200903051438402470
シリコン酸化膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238536
Publication number (International publication number)：1995090589
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 液晶表示板用薄膜トランジスタのゲート絶縁膜など、大面積の基板上に高品質のSiO2薄膜を均一に形成するシリコン酸化膜の形成方法を得る。【構成】 プラズマCVD法により基板上にシリコン酸化膜を形成するに際して、有機シランガス、酸化性ガスとともにフッ素含有ガスを導入する。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法により基板上にシリコン酸化膜を形成するに際して、有機シランガス、酸化性ガスとともにフッ素含有ガスを導入することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (4)：
C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/316
, H01L 29/786
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
