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J-GLOBAL ID：200903051451279962

ガラス基板用超臨界洗浄装置

Inventor： 杉下 洋志
Applicant, Patent owner： 株式会社サムコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999194855
Publication number (International publication number)：2000343053
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【目的】 二酸化炭素の超臨界状態を利用してガラス基板上の汚染物を除去して洗浄するガラス基板用超臨界洗浄装置を提供することを目的とする。【構成】 二酸化炭素を貯蔵する為の二酸化炭素貯蔵容器と、前記二酸化炭素を超臨界状態に昇圧する為の昇圧ポンプと、前記二酸化炭素を加熱して超臨界状態の二酸化炭素にする為の加熱器と、液晶セル用ガラス基板を収納し前記超臨界状態の二酸化炭素を供給して前記ガラス基板と接触させてガラス基板上の汚染物を前記超臨界状態の二酸化炭素中に溶解する為の洗浄圧力容器と、前記洗浄圧力容器内の前記超臨界状態の二酸化炭素を排出し圧力を調整して大気圧まで減圧する為の圧力調整弁と、前記圧力調整弁から排出された超臨界状態の二酸化炭素を気化する為の気化容器と、気化された二酸化炭素中に混在する汚染物を除去して当該二酸化炭素を濾過する為のフィルタと、からなることを特徴とするガラス基板用超臨界洗浄装置。

Claim (excerpt)：

二酸化炭素を貯蔵する為の二酸化炭素貯蔵容器と、前記二酸化炭素を超臨界状態に昇圧する為の昇圧ポンプと、前記二酸化炭素を加熱して超臨界状態の二酸化炭素にする為の加熱器と、液晶セル用ガラス基板を収納し前記超臨界状態の二酸化炭素を供給して前記ガラス基板と接触させてガラス基板上の汚染物を前記超臨界状態の二酸化炭素中に溶解する為の洗浄圧力容器と、前記洗浄圧力容器内の前記超臨界状態の二酸化炭素を排出し圧力を調整して大気圧まで減圧する為の圧力調整弁と、前記圧力調整弁から排出された超臨界状態の二酸化炭素を気化する為の気化容器と、気化された二酸化炭素中に混在する汚染物を除去して当該二酸化炭素を濾過する為のフィルタと、からなることを特徴とするガラス基板用超臨界洗浄装置。

IPC (4)：

B08B 3/08 ,  B01D 11/00 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500

FI (5)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/08 A ,  B01D 11/00 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500

F-Term (24)：

2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JC19 ,  3B201AA02 ,  3B201AB01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201BB98 ,  3B201CB01 ,  3B201CD11 ,  3B201CD22 ,  4D056AC24 ,  4D056BA16 ,  4D056CA17 ,  4D056CA20 ,  4D056CA21 ,  4D056CA22 ,  4D056CA40 ,  4D056DA01 ,  4D056DA02