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J-GLOBAL ID：200903051451753680

シリコン半導体基板及びその製造方法

Inventor： 碇 敦 ,  坂本 光 ,  大橋 渡 ,  星野 泰三 ,  矢部 愛次
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997297158
Publication number (International publication number)：1999135511
Application date： Oct. 29, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 シリコン半導体基板を不純物含有量が5ppm以下希ガス雰囲気中で1000°C以上1300°C以下の温度で1時間以上熱処理することにより、高品質なDZ層の作成が可能である。希ガスとしては一般的にアルゴンガスが用いられ、熱処理を行う前に、基板表面の酸化膜を1nm以下にすることにより、安定した結晶欠陥低減効果が得られる。また、チョクラルスキー法により作成された引き上げ速度1.5mm/分以上で引き上げたシリコン単結晶を用いたシリコン半導体基板を用いたり、熱処理炉炉口にパージボックスを設け、炉口の雰囲気中の不純物濃度を5ppm以下にすることにより、さらに欠陥の低減効果をさらに高めることができる。【効果】 基板表面の結晶欠陥を10-1個/cm2以下にしたシリコン半導体基板を安全な希ガス雰囲気を用いて作成できる。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板を不純物含有量が5ppm以下希ガス雰囲気中で1000°C以上1300°C以下の温度範囲で1時間以上熱処理することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 502 Z ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103080   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252125   Applicant：株式会社東芝
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153749   Applicant：国際電気株式会社