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J-GLOBAL ID：200903051455536250

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
両角 幸男

About 両角 幸男


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001439
Publication number (International publication number)：1993190690
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 MOSLSI等に於けるシリサイド電極配線や不純物層上に有機シランを用いプラズマ反応のNSGとPSG膜を積層させ、更に塗布ガラスで平坦化された層間絶縁膜を形成することにより、電気特性や品質に係わる信頼性や歩留りの向上がなされ、より微細化,多機能化された半導体装置の安定供給に寄与出来るものである。【構成】 表面がTiシリサイド化されたゲート電極配線14と不純物層17上にTEOSをプラズマ反応させたNSG20とPSG21膜上に塗布ガラス22をスピンコートし800°Cでアニール後、コンタクトホールはHF含む水溶液によるウェットエッチングと反応性イオンエッチャーによる異方性エッチングで開孔後、金属配線23を施す。
Claim (excerpt)：
MOSトランジスタのゲート電極やソース,ドレイン等の不純物層の表面に高融点金属のシリサイド層が形成され、該シリサイド層と金属配線の層間絶縁膜として少なくとも、プラズマ反応させた第1のシリコン酸化膜と不純物としてリンを含むプラズマ反応による第2のシリコン酸化膜と塗布ガラスが積層されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/90 ,  H01L 21/316
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平3-133130
  • 特開平2-077131
  • 特開平3-050826
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Cited by examiner (4)
  • 特開平3-133130
  • 特開平2-077131
  • 特開平3-050826
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