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J-GLOBAL ID:200903051461692485

露光用マスクとこれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 国則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992148596
Publication number (International publication number):1993323575
Application date: May. 15, 1992
Publication date: Dec. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ウエハのオリフラと正確な位置合わせが正確に行える露光用マスクとこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 露光用マスク1のマスクブランク2にオリエンテーションフラット11とパターン3との位置合わせを行うための合わせマーク4を設ける。合わせマーク4として直線状パターンや点状パターンを形成し、複数の合わせマーク4の間に一定間隔のスケールパターン41a、41bを設ける。また、露光工程において、この露光用マスク1の合わせマーク4とウエハ10のオリエンテーションフラット11との位置合わせを行う半導体装置の製造方法である。
Claim (excerpt):
マスクブランクに形成されたパターンを、ウエハのオリエンテーションフラットに合わせて転写するための露光用マスクにおいて、前記マスクブランクには、前記オリエンテーションフラットと前記パターンとの位置合わせを行うための合わせマークが設けられていることを特徴とする露光用マスク。
IPC (4):
G03F 1/08 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68

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