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J-GLOBAL ID:200903051462540174
有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
小倉 亘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000161431
Publication number (International publication number):2001345431
Application date: May. 31, 2000
Publication date: Dec. 14, 2001
Summary:
【要約】【目的】 印加電圧又は光励起で誘電体と導電体との間をスイッチングする作用をもつ有機強誘電体薄膜を用いて半導体デバイス,光応答型半導体デバイス,光検出器等を作製する。【構成】 次のドナー及びアクセプタを含む有機錯体から有機強誘電体薄膜が成膜されている。キャパシタ又はメモリーデバイスは、基板1上に下部電極2,有機強誘電体薄膜3及び上部電極4を順次積層することにより作製される。ドナー物質:アルカリ金属,NH4,tetrathiafulvalene,tetra-methyltelluro-tetrathiafulvalenen,tetramethiyl-phenilendiamine,dyhydrol-dimethyl-phenazine,tetramethyl-benzidine,N-methyl-N-ethyl-morphorinium及びこれらの誘導体アクセプター物質: tetracyano-quinodimethane,tetracyano-tetrafluoro-quinodimetha,tetracyano-dimethyl-quinodimethane,tetrachrolo-benzoquinone,teichrolo-benzoquinone及びこれらの誘導体
Claim (excerpt):
ドナー及びアクセプタを含む有機錯体から成膜され、アルカリ金属,NH4,テトラチアフルバレン(tetrathiafulvalene),テトラメチルテルロ-テトラチアフルバレン(tetra-methyltelluro-tetrathiafulvalenen),テトラメチル-フェニレンヂアミン(tetramethyl-phenilendiamine),ジヒドロ-ジメチル-フェナジン(dihydro-dimethyl-phenazine),テトラメチル-ベンジディン(tetramethyl-benzidine),N-メチル-N-エチル-モルフォリニウム(N-methyl-N-ethyl-morphorinium)及びこれらの誘導体から選ばれた1種又は2種以上をドナーとし、テトラシアノ-キノジメタン(tetracyano-quinodimethane),テトラシアノ-テトラフルオロ-キノジメタン(tetracyano-tetrafluoro-quinodimethane),テトラシアノ-ヂメチル-キノジメタン(tetracyano-dimethyl-quinodimethane),テトラクロロ-ベンゾキノン(tetrachloro-benzoquinone,teichloro-benzoquinone)及びこれらの誘導体から選ばれた1種又は2種以上をアクセプターとしていることを特徴とする有機強誘電体薄膜。
IPC (6):
H01L 27/10 451
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (5):
H01L 27/10 451
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/04 H
, H01L 27/10 651
F-Term (28):
5E082AB03
, 5E082AB10
, 5E082BB10
, 5E082BC35
, 5E082EE05
, 5E082FG03
, 5E082FG32
, 5E082FG42
, 5E082FG46
, 5E082KK01
, 5F038AC02
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC18
, 5F038BH15
, 5F038DF05
, 5F038EZ01
, 5F038EZ20
, 5F083AD10
, 5F083AD21
, 5F083FR02
, 5F083FZ07
, 5F083FZ10
, 5F083GA24
, 5F083GA30
, 5F083JA01
, 5F083MA06
, 5F083MA17
Patent cited by the Patent: