Pat

J-GLOBAL ID：200903051473862866

スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor： 添谷 進 ,  荒井 礼子 ,  早川 純
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268604
Publication number (International publication number)：2002074626
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 スピン分極率の大きなbcc強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】 バリア層400に接している強磁性膜をともにbcc強磁性膜(自由層100、固定層200)で構成する。自由層の軟磁気特性は、bcc強磁性膜100の下側にfcc強磁性膜101を配置することで確保する。bcc強磁性膜(固定層)200への交換結合磁界の付与は、CrMnPt反強磁性膜300で行う。

Claim (excerpt)：

トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の一方の側に配置され外部磁界に応じて磁化方向が自由に変化する強磁性膜からなる自由層と、前記トンネル障壁層の他方の側に配置され磁化方向が固定された強磁性膜からなる固定層と、前記固定層に交換結合磁界を及ぼす反強磁性膜とを備える積層膜と、前記積層膜を挟む一対の電極とを含むスピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記固定層はbcc強磁性膜であり、前記反強磁性膜は不規則相を有するCrMn系反強磁性膜であることを特徴とするスピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

F-Term (16)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA06 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01