半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001358063
Publication number (International publication number)：2003158262
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】シリコンとの界面特性を向上させるための金属シリケート内部の傾斜組成を、従来提案されている手段とは全く異なる方法により、確実に実現して得られた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを含有する半導体層(10)と、その上に設けられ、シリコン(Si)と酸素(O)と窒素(N)と金属元素とを含有する絶縁層(20)と、その上に設けられた導電性層(30)と、を備え、前記絶縁層は、前記金属元素の濃度が前記半導体層の側で低く、前記導電性層の側で高くなる分布を有し、且つ、前記窒素の濃度が前記半導体層の側で高く、前記導電性層の側で低くなる分布を有することを特徴とする半導体装置を提供する。

Claim (excerpt)：

シリコンを含有する半導体層と、前記半導体層の上に設けられ、シリコン(Si)と酸素(O)と窒素(N)と金属元素とを含有する絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた導電性層と、を備え、前記絶縁層は、前記金属元素の濃度が前記半導体層の側で低く、前記導電性層の側で高くなる分布を有し、且つ、前記窒素の濃度が前記半導体層の側で高く、前記導電性層の側で低くなる分布を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (23)：

5F083EP17 , 5F101BA42 , 5F101BD07 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-395734 Applicant：松下電器産業株式会社
オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-200829 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
集積回路に電界効果デバイスを製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-200828 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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