Pat

J-GLOBAL ID：200903051488658874

シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 島田 勝弘 ,  島貫 康 ,  高嶋 孝一郎 ,  安田 弘
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232480
Publication number (International publication number)：1995066149
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 NTD(中性子照射)シリコンウェーハにおいて、表面近傍にDZ(無欠陥層)を、内部にIG(イントリンシックゲッタリング)層を形成して、半導体デバイスの製造歩留まりを向上させるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 酸素濃度が0.6〜1.3×1018atoms/cm3(旧ASTM)のシリコンウェーハを使用し、熱中性子線量を高速中性子線量で除した値が100〜600の重水炉でこのシリコンウェーハに中性子を照射する。その後、600〜1200°C、1時間以上の熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

酸素濃度が0.6〜1.3×1018atoms/cm3(旧ASTM)のシリコンウェーハを使用し、熱中性子線量を高速中性子線量で除した値が100〜600の重水炉でこのシリコンウェーハに中性子を照射し、その後、600〜1200°C、1時間以上の熱処理を施したことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/261 ,  H01L 21/322

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-257723