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J-GLOBAL ID：200903051490955428

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
村川 惠美

About 村川 惠美

, 
松下 実

About 松下 実

, 
尾▲崎▼ 成則

About 尾▲崎▼ 成則


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260181
Publication number (International publication number)：2003068850
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】 エッチングにより、多孔質シリコン酸化膜からなる第2絶縁層13および第3絶縁層14を貫通して、接続孔21の一部となる孔を形成する。さらに、第2ストッパ膜20を用いて、第3絶縁層14に、第2の溝23をエッチングにより形成する。さらに、接続孔21および第2の溝23の側壁に、RLSA型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、SiN膜からなるバリヤ層25を形成する。ここで、第2ストッパ膜20も、バリヤ層25と同様の直接窒化により形成されている。
Claim (excerpt)：
一面側に溝を備えるとともに、前記溝の底から他面側に貫通する孔を備え、シリコンを主成分として構成される絶縁層を形成する工程と、窒素を含むガスのプラズマに、前記溝および前記孔の内壁の表面を曝露し、前記溝および前記孔の内壁の表面領域にシリコン窒化膜から構成されるバリヤ層を形成するバリヤ層形成工程と、前記バリヤ層を介した、前記溝および前記孔の内側に、導体材料からなる配線層を埋め込む工程と、を備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205
FI (7)：
H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M
F-Term (59)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033SS00 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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