Pat

J-GLOBAL ID：200903051491219032

金属導体と他の金属との間の反応を最小化する方法

Inventor： クィ - ゾング ホング ,  ロバート エィチ.ヘイブマン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996063303
Publication number (International publication number)：1996260131
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【課題】 VLSIデバイス等の金属拡散障壁を堆積後プラズマ処理で特性改善しその上の金属導体の面積抵抗を安定化して金属間反応を阻止する。【解決手段】 誘電体、金属、又は半導体の基板上にTiN、TiW、又はTiWNの、かつ約10から約1000nmの厚さの金属拡散障壁層をスパッタリング、電子ビーム蒸着、又は化学気相成長によって堆積した後、金属拡散障壁層の露出表面を酸素プラズマ、亜酸化窒素プラズマ、又は酸素含有種のプラズマで以て処理する。次いで、金属拡散障壁層のプラズマ処理された表面上にアルミニウム、アルミニウム-金属合金、銅、及び銅-金属合金の、かつ約100から約1200nmの厚さの導体を堆積する。これらの層を、基板を覆うブランケット、又は連続薄膜として形成し、次いで、導体をパターン化することができる。

Claim (excerpt)：

熱処理の際に金属導体の面積抵抗の変化を最小化するために前記金属導体と他の金属との間の反応を最小化する方法であって、(ア) 基板を用意し、(イ) 前記基板上に金属拡散障壁層を堆積し、(ウ) プラズマで以て前記金属拡散障壁層の露出表面を処理し、(エ) 前記金属拡散障壁層のプラズマ処理された表面上に導体を堆積することを含む方法。

IPC (5)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 N