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J-GLOBAL ID：200903051493540210

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 有馬 靖智 ,  田上 高志 ,  山岡 智則 ,  田中 修平
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068258
Publication number (International publication number)：1993275451
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高速動作の半導体装置、低いシート抵抗値の半導体装置及び同一基板上に異なる特性を持つ半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板11上に幅2μm,深さ20nm,間隔2μmの矩形溝を形成し、チャネル部となるアモルファスSi膜12を膜厚60nm成膜し、エキシマレーザアニール13によって結晶化し、チャネル部Siをパターニング後、SiO2膜14を膜厚100nm成膜し、アモルファスSi膜15を形成後、Pイオンを電極部に添加し、エキシマレーザアニールによって活性化し、SiO2膜16を形成し、外部電極となるAl電極17を形成して半導体製造プロセスは終了する。

Claim (excerpt)：

非晶質基板表面に形成した半導体膜を使用した半導体装置において該非晶質基板表面の一部または全面に周期性を有する形状の凹凸を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-270312
  
• 特公昭40-021443
  
• 特開平4-011226