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J-GLOBAL ID：200903051497205815

透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体

Inventor： 安井 至 ,  亀井 雅之 ,  多賀 直昭
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282950
Publication number (International publication number)：2000108244
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】高透過率で膜の表面に凹凸が少ない低比抵抗の透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体の提供。【解決手段】基体上に、ZnOを含む膜と、該ZnOを含む膜の上に直接設けられたInおよび/またはSnの酸化物を含む膜とからなる透明導電膜であって、前記ZnOを含む膜の幾何学的膜厚が1〜150nmであることを特徴とする透明導電膜その製造方法および透明導電膜付き基体。

Claim (excerpt)：

基体上に、ZnOを含む膜と、該ZnOを含む膜の上に直接設けられたInおよび/またはSnの酸化物を含む膜とが設けられてなる透明導電膜であって、前記ZnOを含む膜の幾何学的膜厚が1〜150nmであることを特徴とする透明導電膜。

IPC (2)：

B32B 9/00 ,  H05B 33/28

FI (2)：

B32B 9/00 A ,  H05B 33/28

F-Term (42)：

3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA02 ,  3K007DB00 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007FA01 ,  4F100AA04B ,  4F100AA05C ,  4F100AA17B ,  4F100AA17C ,  4F100AA19B ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AA25B ,  4F100AA28B ,  4F100AA28C ,  4F100AA29C ,  4F100AA30B ,  4F100AA30C ,  4F100AA33C ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA13 ,  4F100EH662 ,  4F100GB48 ,  4F100GB90 ,  4F100JB01B ,  4F100JG01 ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JK15 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C