半導体装置のコンタクトホール形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997236748
Publication number (International publication number)：1998107144
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SOG層からなる層間絶縁膜上に吸湿防止のためのキャッピング層を形成する時、コンタクトホールのプロファイルを改善し得る半導体装置のコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】 SOG層3の上部にキャッピング層を形成する。前記キャッピング層の上部にフォトレジストパターン5′を形成する。前記フォトレジストパターン5′をマスクとして前記キャッピング層とその下部のSOG層3に対して順に湿式食刻と乾式食刻を行うことによってコンタクトホールを形成する。その後、前記フォトレジストパターンを取り除く。コンタクトホールの縁部から突出した部分はArイオン食刻で取り除く。これによって、スムーズなプロファイルを有するコンタクトホールを形成することができ、この結果、金属層6でコンタクトホールを埋め立てる時に生じるボイドを防止し得る。

Claim (excerpt)：

SOG層を層間絶縁膜として用いる半導体装置において、前記SOG層の上部にキャッピング層を形成する段階と、前記キャッピング層を550°C以上の温度でアニーリングする段階と、前記キャッピング層の上部にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記キャッピング層とその下部のSOG層に対して湿式食刻及び乾式食刻を順に行うことによってコンタクトホールを形成する段階と、前記フォントレジストパターンを取り除く段階と、前記コンタクトホールの縁部に突出したキャッピング層をArイオン食刻で取り除く段階とを含めてなるSOG層を絶縁膜として具備した半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 C , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-152651
特開平4-165651
特開平2-244742

Show all

Return to Previous Page