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J-GLOBAL ID：200903051513637321
半導体受光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992273926
Publication number (International publication number)：1994125107
Application date： Oct. 13, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】2つPIN-PDがモノリシック集積され直列接続されたデュアルPINにおいて、基板の表面リーク電流に起因するPIN-PD間の暗電流のアンバランスを抑える。【構成】メサ分離された2つのPIN-PD間にP型伝導層を設ける。半絶縁性基板は通常n型反転し易いが、P型伝導層を設ける事により表面反転を抑え表面リーク電流を低減することにより暗電流を抑える。表面リーク電流は片方のPIN-PDで顕著であるが本構成により双方のPIN-PD暗電流は数nA以下に揃い、電気的バランスがとれる。
Claim (excerpt)：
半絶縁性InP基板上にn型InP,n- 型InGaAs,n型InPを少なくとも有する層構造を有し、前記基板に達するまでの深さをもつメサ上に形成されたフォトダイオードにおいて、前記フォトダイオードが前記基板上に2つ配置され、配線により直列接続されており、各フォトダイオード間に露出した前記基板上にP型伝導層が形成されていることを特徴とする半導体受光装置。
Patent cited by the Patent：
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