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J-GLOBAL ID：200903051520758630

半導体素子の製造方法

Inventor： 木戸口 勲 ,  宮永 良子 ,  菅原 岳 ,  鈴木 政勝 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999139718
Publication number (International publication number)：2000332357
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体レーザのリッジストライプ形成工程をより簡便なものとする。【解決手段】 基板上に窒化物半導体から成るダブルヘテロ構造を積層した後、レジストマスクを用いてリッジストライプパターンを形成し、Si3N4などの誘電体膜を電子サイクロトロン共鳴プラズマとSiターゲットおよび窒素ガスによって堆積し、しかる後にリフトオフによってリッジ上のレジストおよびSi3N4を除去する。

Claim (excerpt)：

基板上にレジストを用いてパターンを形成する工程と、電子サイクロトロン共鳴スパッタによって誘電体膜を堆積する工程と、リフトオフによってレジストおよび該レジスト上の該誘電体膜をを除去する工程を有している半導体素子の製造方法。

F-Term (13)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA18