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J-GLOBAL ID：200903051538444218

レーザマーキング方法

Inventor：
三柳 直毅

About 三柳 直毅

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桜井 茂行

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長野 義也

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森田 輝

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Applicant, Patent owner：
日立建機株式会社

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Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000401484
Publication number (International publication number)：2002205178
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 レーザビームによるCSP等へのマーキングでチップ自体およびIC回路へのダメージをなくし、マーキングパターンの視認性を向上する。【解決手段】 レーザビーム116をシリコンチップ118の表面に照射し表面にマーキングを行う方法である。この方法では、表面を溶融・再凝固させる低いエネルギ密度による第1レーザビーム照射と、表面に溝を形成する高いエネルギ密度による第2レーザビーム照射を用い、第1レーザビーム照射と第2レーザビーム照射のいずれか一方で表面にパターン11を描き、他方で表面に背景であるエリア12を描く。低いエネルギ密度はパルスエネルギ密度で3〜11mJ/mm2の範囲に含まれ、高いエネルギ密度は、パルスエネルギ密度で11mJ/mm2より大きい範囲に含まれる。
Claim (excerpt)：
レーザビームを被加工物の表面に照射し、前記表面にマーキングを行うレーザマーキング方法において、前記表面を溶融・再凝固させる低いエネルギ密度による第1レーザビーム照射と、前記表面に溝を形成する高いエネルギ密度による第2レーザビーム照射を用い、前記の第1レーザビーム照射と第2レーザビーム照射のいずれか一方で前記表面にマークを描き、他方で前記表面に背景部を描くことを特徴とするレーザマーキング方法。
IPC (4)：
B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B41J 2/44 ,  H01L 21/02
FI (5)：
B23K 26/00 B ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/06 J ,  H01L 21/02 A ,  B41J 3/00 Q
F-Term (10)：
2C362AA10 ,  2C362AA12 ,  2C362AA54 ,  2C362BA67 ,  2C362CB67 ,  4E068AB01 ,  4E068CA02 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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