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J-GLOBAL ID：200903051546402923
多層基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129548
Publication number (International publication number)：1994338686
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】絶縁層へのAg成分の拡散によって、発生する容量温度特性のシフトすることを見込んで、Ag成分の拡散後においても、安定した容量温度特性を有する多層基板の製造方法を提供する。【構成】 絶縁層1a〜1eとなるガラス-セラミック絶縁材料と、内部配線パターン2・・・となるAg系内部配線とを積層して、Ag系導体の融点以下の温度で一体的に焼成して成る多層基板の製造方法であって、前記焼結後の絶縁層1a〜1eの容量温度係数が-40〜40ppm/°Cはとなるように、絶縁シートの容量温度係数を-240〜20ppm/°Cとした多層基板の製造方法である。
Claim (excerpt)：
容量温度係数が-240〜20ppm/°Cのガラス-セラミック絶縁シート上にAg系導体の内部配線パターンを形成する工程と、前記内部配線パターンを形成した絶縁シートを複数積層する工程と、前記積層した絶縁シートを焼成し、ガラス-セラミック絶縁層の容量温度係数を-40〜40ppm/°Cと成す工程とを有する多層基板の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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