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J-GLOBAL ID：200903051552855590
リードレスチツプキヤリア型半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991246697
Publication number (International publication number)：1993063106
Application date： Aug. 31, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 リードレスチップキャリア型半導体装置の製造工程の自動化が容易であり、製造コストの低減を可能にする製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁基板1上に複数の半導体素子4を搭載するための導電パターン3を設け、導電パターン3上に半導体素子4をマウントし、ワイヤボンデイングし、更に、封入することにより、半導体装置を組み立て、その後絶縁基板1を各半導体装置毎に切断し、個別の半導体装置製品を得る。これにより、各工程の自動化が容易になり、生産コストを低減できる。
Claim (excerpt)：
複数の半導体素子を載置するパターンを設けた絶縁基板上に半導体素子をマウントし、ワイヤボンデイング及び封入を行った後、前記絶縁基板を切断することを特徴とするリードレスチップキャリア型半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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