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J-GLOBAL ID：200903051556506611
フォトセンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107711
Publication number (International publication number)：1994296036
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高感度で正確な光検出が行えると共に、多画素化や高速読み出しが可能なフォトセンサを提供することを目的とする。【構成】 フォトセンサ1は、ガラス等からなる透明な絶縁性基板2上に、センスゲート電極3が形成されており、このセンスゲート電極3及び絶縁性基板2を覆うように、センスゲート絶縁膜4が形成され、その上には半導体層5が形成されている。そして、半導体層5の両端部にはドレイン領域6とソース領域7とが形成され、その間のチャネル領域は、上層部はポリシリコン層8、下層部はアモルファスシリコン層9で構成されている。半導体層5の上には、リードゲート絶縁膜14を介してリードゲート電極15が形成されている。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に形成され、半導体層からなるチャネル領域を挟んでソース電極とドレイン電極とが相対向して配され、少なくとも該チャネル領域上に絶縁膜を介してゲート電極が配され、該ゲート電極側から照射された光が該ゲート絶縁膜を透過して前記半導体層に照射され、照射光量に応じた電荷を発生するフォトセンサであって、前記チャネル領域は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をそれぞれ接続するように非結晶質シリコンと多結晶シリコンとが積層配置されたことを特徴とするフォトセンサ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 E
, H01L 27/14 C
