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J-GLOBAL ID：200903051566462450

赤外分光装置

Inventor： 西澤 誠治
Applicant, Patent owner： 日本分光株式会社 ,  科学技術振興事業団
Agent (1)： 岩橋 祐司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082459
Publication number (International publication number)：2000275105
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高輝度赤外光が安定して得られる赤外分光装置を提供することにある。【解決手段】 連続光光源からの赤外光をビームスプリッタ134で二分割し、一方を固定鏡136で他方を走査鏡138で反射させて得た帰還光を合成した干渉光L5を試料140に照射し、検知器124で検知された照射光L6強度データをフーリエ変換することでスペクトルを得る二光束干渉法122の赤外分光装置116において、該連続光光源はパルス励起光L1を発生する励起源114と、該励起光L1が照射されるとパルス電磁波L2を発生するミリ波・赤外放射素子112と、該電磁波L2がミリ波から赤外波長域における波数範囲に渡り、連続スペクトル分布を持つように該励起光L1の時間幅を設定する時間幅設定手段126と、該電磁波L2が実質的に時間的に連続するように該励起光L1の繰返周波数を設定する周波数設定手段126と、を備えたことを特徴とする赤外分光装置120。

Claim (excerpt)：

連続光光源から放射された赤外光をビームスプリッタにより二分割し、一方を固定鏡で、他方を走査鏡で反射させた得た帰還光を合成させてできた干渉光を測定試料に照射し、検知器で検知された該照射光データをフーリエ変換し、該試料の赤外線吸収スペクトルデータを得る二光束干渉分光法の赤外分光装置において、前記連続光光源は、所定の時間幅のパルス励起光を所定の繰り返し周波数で発生する励起源と、前記励起源からのパルス励起光が照射されると、光と物質の電磁気学的電場・電気双極子間の相互作用により、ミリ波から赤外波長域における所定の波数範囲に渡り、連続スペクトル分布を持ったパルス電磁波を発生するミリ波・赤外放射素子と、前記ミリ波・赤外放射素子からのパルス電磁波が、ミリ波から赤外波長域における所定の波数範囲に渡り、連続スペクトル分布を持つように、前記パルス励起光の時間幅を設定する時間幅設定手段と、前記ミリ波・赤外放射素子からのパルス電磁波が、実質的に時間的に連続した赤外光となるように、前記パルス励起光の繰り返し周波数を設定する周波数設定手段と、を備え、前記ミリ波・赤外放射素子からのパルス電磁波を、前記二光束干渉分光法の赤外分光装置の光源光として用いたことを特徴とする赤外分光装置。

IPC (4)：

G01J 3/45 ,  G01J 3/10 ,  G01N 21/01 ,  G01N 21/35

FI (4)：

G01J 3/45 ,  G01J 3/10 ,  G01N 21/01 D ,  G01N 21/35 Z

F-Term (42)：

2G020AA02 ,  2G020AA03 ,  2G020BA02 ,  2G020BA12 ,  2G020BA14 ,  2G020CA02 ,  2G020CA12 ,  2G020CB05 ,  2G020CB23 ,  2G020CB25 ,  2G020CB27 ,  2G020CB31 ,  2G020CB42 ,  2G020CB46 ,  2G020CC22 ,  2G020CC47 ,  2G020CD03 ,  2G020CD16 ,  2G020CD22 ,  2G020CD26 ,  2G020CD33 ,  2G020CD35 ,  2G020CD51 ,  2G020CD57 ,  2G059AA02 ,  2G059BB01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB08 ,  2G059EE10 ,  2G059GG01 ,  2G059GG03 ,  2G059HH01 ,  2G059HH05 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059KK03 ,  2G059KK09 ,  2G059MM01 ,  2G059MM14 ,  2G059PP04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 試料表面のインピーダンス測定方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339277   Applicant：郵政省通信総合研究所長
• 半導体のキャリア濃度測定方法、半導体デバイス製造方法及び半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-227470   Applicant：株式会社村田製作所
• 有機無機複合超格子型光変調器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-142086   Applicant：株式会社日立製作所
• ミリ波・サブミリ波帯分光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058702   Applicant：科学技術振興事業団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• “High Power Terahertz Radiation at 1kHz Repetition Rate”
• “Noncollinearly phase-matched femtosecond optical parametric amplification with a 2000 cm-1 bandwid