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J-GLOBAL ID：200903051574362341

半導体発光素子

Inventor： 佐々井 洋一 ,  上山 智 ,  齋藤 徹 ,  辻村 歩 ,  西川 孝司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996264284
Publication number (International publication number)：1998112565
Application date： Oct. 04, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ZnSe系2-6族化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低電圧駆動の半導体レーザ構造を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、n型GaAs基板1上にn型ZnSSeハ ゙ッファ層3、n型ZnMgSSeクラット ゙層4、ZnCdSe活性層6、p型ZnMgSSeクラット ゙層8、p型ZnSSe層9を具備している。p型ZnSSe系半導体9に対して価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下の半導体、例えばp型ZnCdSSe系半導体とp型ZnSe/ZnTe超格子層とp型ZnTeコンタクト層からなる構成により、コンタクト抵抗が小さくなり、低駆動電圧化が再現性よく達成できる。

Claim (excerpt)：

基板上にn型のZnSeもしくはZnSSe化合物半導体と、前記基板にn型のZn1-xMgxS1-ySey系化合物半導体からなるクラッド層と、ZnSSe系光ガイド層とZnCdSe量子井戸層とを有する発光層と、p型のZnMgSSe系半導体からなる第二のクラッド層と、p型ZnSzSe1-z(0≦z≦0.08)半導体層とを有し、前記p型ZnSzSe1-z半導体層上に前記p型ZnSzSe1-z半導体層に対し価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下のp型半導体とp型ZnSe/ZnTe多層膜半導体層とp型ZnTeコンタクト層とを有することを特徴とする半導体発光素子。