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J-GLOBAL ID：200903051578663281

半導体ガスセンサ

Inventor： 長瀬 徳美 ,  津田 孝一 ,  石井 孝志 ,  河田 泰之 ,  井上 文宏
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994006110
Publication number (International publication number)：1995209234
Application date： Jan. 25, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】干渉ガスと水蒸気と電源電圧変動の影響が小さく信頼性に優れる半導体ガスセンサを得る。【構成】同一の基板13の上に貴金属触媒の担持された金属酸化物半導体からなる第1の感ガス層11と、金属酸化物半導体からなる第2の感ガス層12を積層して厚膜型ガスセンサを構成する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用してガスの有無を検出する半導体ガスセンサであって、基板と、複数対の電極と、第1の感ガス層と、第2の感ガス層と、ヒータを有し、基板はガスセンサの支持体であり、複数の電極は基板上に離間して直接的に被着され、第1の感ガス層は貴金属触媒の担持された金属酸化物半導体からなり、基板の一主面と、前記被着された電極の内の一対の上に選択的に積層され、第2の感ガス層は金属酸化物半導体からなり、前記基板の一主面と、前記被着された電極の内の他の一対の上に選択的に積層され、ヒータは基板の他の主面に積層され基板を所定の温度に加熱するものであることを特徴とする半導体ガスセンサ。