Pat
J-GLOBAL ID:200903051582403766
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998197729
Publication number (International publication number):2000029218
Application date: Jul. 13, 1998
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、特に残膜率、レジストプロファイルが優れ、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、多環型の脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、特定の構造のエノールエーテル基を少なくとも2個有する化合物、含窒素塩基性化合物、及び、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)多環型の脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、(C)下記一般式(I)で表される基を少なくとも2個有する化合物、(D)含窒素塩基性化合物、及び(E)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】式(I)中、R1 〜R3 は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。また、R1 〜R3の内の2つが結合して3〜8個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成しても良い。Zは酸素原子、イオウ原子、-SO2 -又は-NH-を示す。
IPC (4):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, H01L 21/30 502 R
F-Term (21):
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB20
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB06
, 2H025CB08
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB15
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CC04
, 2H025CC17
, 2H025CC20
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