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J-GLOBAL ID：200903051583920888
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232366
Publication number (International publication number)：1993048082
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 一導電型半導体基板のトレンチ溝に沿って形成する逆導電型半導体領域で狭むチャネル幅形成の精度を上げること、(チップ内の有効面積を増し安価な価格で製造すること)及びチャネル凸部の破損を防止した高信頼、高効率の半導体装置を得ることを主たる目的とする。【構成】 凸部上面にショットキ接触又はオ-ミック接触をする金属層、凹部と凸部に接して逆導電型半導体3、又は一導電型半導体との間で逆導電型半導体を作る金属による堆積形成層8を設け、その堆積形成層は一導電型半導体基板間にPN接合を形成し、又、金属層間にオ-ミック接触をするようにした半導体装置。
Claim (excerpt)：
表面に凹凸部を形成した一導電型半導体基板、凸部上面にショットキ接触又はオ-ミック接触をする金属層、及び凹部と凸部に接する逆導電型半導体又は前記一導電型半導体との間で逆導電型半導体を作る金属による堆積形成層から成り、前記堆積形成層は前記一導電型半導体基板と接する面でPN接合を形成し、又前記金属層と接する面でオ-ミック接触するごとく構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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