強誘電体材料薄膜の成膜方法とその用途

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032817
Publication number (International publication number)：2001220676
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOCVD法による強誘電体材料薄膜の品質、特性を生産性を低下させずに改良すること。【解決手段】 MOCVD法において原料有機金属化合物ガスを間欠的に基板上に供給する。

Claim (excerpt)：

有機金属化合物化学的気相堆積法による強誘電体材料膜の成膜方法であって、基材上に原料有機金属化合物ガスを間欠的に供給して強誘電体材料膜を堆積することを特徴とする強誘電体材料膜の成膜方法。

IPC (6)：

C23C 16/40 , B81C 1/00 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5)：

C23C 16/40 , B81C 1/00 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

F-Term (30)：

4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA04 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030EA01 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF06 , 5F058BF80 , 5F058BJ10 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083HA08 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-280884 Applicant：日産自動車株式会社
半導体装置用誘電体の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-294797 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-311571

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