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J-GLOBAL ID：200903051599326862

タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置

Inventor： 北崎 正樹 ,  仁科 和宏
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174254
Publication number (International publication number)：2001011628
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 WxN膜上に高品質のWニュークリエーション膜を形成し、ひいては高品質のW膜を形成するためのCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】 本発明による成膜方法では、被処理基板14のWxN膜の表面にSiH4ガスをその供給源32から所定時間、吹き付け、その後、Wニュークリエーション膜をCVD法により形成する。そして、Wニュークリエーション膜を核にしてCVD法によりW膜を形成することを特徴とする。このように、Wニュークリエーション膜の成膜前にSiH4ガスのみを供給すると、WxN膜上に良質のWニュークリエーション膜が形成される。

Claim (excerpt)：

タングステンナイトライド膜が形成された被処理基板を収容している処理チャンバ内を所定の真空度にし、前記被処理基板の前記タングステンナイトライド膜の表面にモノシランガスを所定時間、吹き付ける第1ステップと、前記第1ステップの終了後、前記処理チャンバ内を所定の真空度にし、前記タングステンナイトライド膜の上にタングステンニュークリエーション膜を化学気相堆積法により形成する第2ステップと、前記第2ステップの終了後、前記処理チャンバ内を所定の真空度にし、前記タングステンニュークリエーション膜を核にして化学気相堆積法によりタングステン膜を形成する第3ステップとを含むタングステン膜の成膜方法。

IPC (5)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

F-Term (25)：

4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030GA01 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11 ,  4M104AA01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD86 ,  4M104FF16 ,  4M104FF18 ,  4M104HH08