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J-GLOBAL ID：200903051601792736

半導体デバイス

Inventor： 藤井 博満 ,  多田 稔 ,  山本 雅春
Applicant, Patent owner： 住友特殊金属株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100543
Publication number (International publication number)：1993275554
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 I/O回路自体及び周辺から発生する電磁波を積極的に吸収して漏洩を防止でき、外部からの電磁波の侵入も防止でき、かついずれの形態のデバイスにも容易に適用できる構成からなる半導体デバイスの提供。【構成】 接地したCu製のヒートスプレッダ1上に低融点ガラスからなる誘電材2を介して所要パターンのリードフレーム3を固着し、ヒートスプレッダ1の中央にLSIチップ4をダイ付けし、ワイヤーボンディグした後、LSIチップ4とインナーリードとなるリードフレーム3を被覆するように、Ni-Zn系焼結フェライトからなるキャップ5を絶縁材6にて封着してパッケージングする。【効果】 LSIやインナーリードから発生する電磁波がキャップなどの軟磁性材料に吸収され、かつ高周波成分が接地放散され、外部への漏洩が著しく減少する。

Claim (excerpt)：

半導体チップあるいはさらに他電子デバイスを搭載してパッケージングする半導体デバイスにおいて、導電性ヒートスプレッダに搭載した半導体チップあるいはさらに他電子デバイスとリードをパッケージングするための部材が軟磁性材料からなり、前記導電性ヒートスプレッダを接地しかつ誘電体材料を介してリードと導電性ヒートスプレッダを接続したことを特徴とする半導体デバイス。