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J-GLOBAL ID：200903051603663666

誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 市川 洋 ,  飯島 賢二 ,  榊間 博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998322332
Publication number (International publication number)：2000144419
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】基体に薄膜堆積中、または堆積終了後、前記薄膜にエネルギービームをパルス状に照射することにより、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化して、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長い誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ホルダー1に設置された基体2上に、所望の誘電体薄膜と同じ構成元素からなるスパッタターゲット3をアルゴンイオンでスパッタして、薄膜を堆積させる。誘電体薄膜堆積時、または堆積後に、エネルギービーム5を、シャッター6でチョッピングして照射する。これによりパルス状のエネルギービームの照射が小さく密なゲイン(grain)を生成し、薄膜中の結晶粒のサイズを微小化し、緻密化でき、強誘電特性が良く、漏れ電流密度も小さく素子寿命も長くできる。

Claim (excerpt)：

基体上に薄膜堆積中または堆積終了後、前記薄膜にパルス状のエネルギービームを照射することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9)：

C23C 14/58 ,  H01L 21/471 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/203

FI (6)：

C23C 14/58 C ,  H01L 21/471 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

F-Term (48)：

4K029BA50 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  5F001AA17 ,  5F001AG30 ,  5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BC01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF46 ,  5F058BF75 ,  5F058BF76 ,  5F058BF77 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083PR33 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103LL14 ,  5F103LL20 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103PP19 ,  5F103PP20 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F103RR10