半導体装置及びその製造方法、ならびにメモリコアチップ及びメモリ周辺回路チップ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263382
Publication number (International publication number)：1996167703
Application date： Oct. 11, 1995
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【課題】低電圧・低消費電力で動作する安価な半導体装置を提供する。【解決手段】デザインルール等のブロックパラメータの異なる第1回路ブロック(DRAMコア)及び第2回路ブロック(DRAM周辺回路)を含む複数の回路ブロックを備えた半導体装置であって、第1回路ブロックは、第1の半導体チップ(DRAMコアチップ)101上に形成されおり、第2回路ブロックは、第2の半導体チップ102上に形成され、第1回路ブロックに電気的に接続されている。この結果、低コストで各半導体チップを製造できる。

Claim (excerpt)：

ブロックパラメータの異なる第1回路ブロック及び第2回路ブロックを含む複数の回路ブロックを備えた半導体装置であって、該第1回路ブロックは、第1の半導体チップ上に形成されており、該第2回路ブロックは、第2の半導体チップ上に形成されており、しかも、該第1回路ブロックに電気的に接続されている、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , G11C 11/401 , H01L 25/04 , H01L 25/18

FI (3)：

H01L 27/10 681 E , G11C 11/34 371 K , H01L 25/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-226753
特開平1-094637
特開昭62-095848

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