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J-GLOBAL ID：200903051620777977

シリコン酸化膜の作製方法

Inventor： 中西 俊郎 ,  佐藤 泰久 ,  奥野 昌樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231944
Publication number (International publication number)：1995086271
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、高生産性を維持しつつ、酸素空位や水素結合の少ない酸化膜を作製する技術を提供することである。【構成】 本発明のシリコン酸化膜の作製方法は、酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、シリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、反応管内にオゾンを含むガスを導入し、所定の圧力にする工程と、シリコンウエハを所定の温度に加熱し、表面を酸化する酸化工程とを含む。好ましくは前記所定の圧力は、大気圧以下である。

Claim (excerpt)：

酸化性ガスの導入及び排気が可能な反応管内にシリコンウエハを載置し、酸化性雰囲気中でシリコンウエハを加熱して表面を酸化するシリコン酸化膜の作製方法において、シリコンウエハを大気に触れないように反応管内に搬入する工程と、反応管内にオゾンを含むガスを導入し、所定の圧力にする工程と、シリコンウエハを所定の温度に加熱し、表面を酸化する酸化工程とを含むシリコン酸化膜の作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-066126
  
• 特開昭63-041028
  
• 特開平3-134153
  
• 特開昭53-098779
  
• 特開平2-260638