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J-GLOBAL ID：200903051630249804

半導体装置の製造方法

Inventor： 林 重徳 ,  久保田 正文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (8)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002332005
Publication number (International publication number)：2004165555
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】シリコン基板が受けるダメージを最小限度に抑制しつつ、高誘電体材料膜を効率良くパターニングできるようにする。【解決手段】シリコン基板10の上に高誘電体材料膜14を堆積した後、該高誘電体材料膜14の上に導電膜15を堆積する。導電膜15に対して選択的にドライエッチングを行なって、導電膜15よりなるゲート電極15Aを形成する。高誘電体材料膜14に対して、高誘電体材料膜14の最大値が1nm以下であり且つ高誘電体材料膜14が残存する状態になるまで選択的にドライエッチングを行なった後、高誘電体材料膜14に対して選択的にウェットエッチングを行なって、高誘電体材料膜14よりなるゲート絶縁膜14Aを形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に高誘電体材料膜を堆積した後、前記高誘電体材料膜の上に導電膜を堆積する工程と、 前記導電膜に対して選択的にドライエッチングを行なって、前記導電膜よりなるゲート電極を形成する工程と、 前記高誘電体材料膜に対して選択的にドライエッチングを行なった後、残存する前記高誘電体材料膜をウェットエッチングにより除去することにより、前記高誘電体材料膜よりなるゲート絶縁膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (5)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 E ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/302 100

F-Term (70)：

4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD72 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG58 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭61-280620
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-267101   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-002835   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-047945   Applicant：日本電気株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-344081   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375358   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置の容量素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-014080   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-343274   Applicant：ソニー株式会社
• エッチング方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-029531   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Etch characteristics of HfO2 films on Si substrates
• Characterization of High-K dielectric ZrO2 films annealed by rapid thermal processing