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J-GLOBAL ID：200903051642599185

多層配線を有する半導体素子及びその製造方法

Inventor： 原田 裕介
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994153722
Publication number (International publication number)：1996023028
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 スルーホール径を大きくすることなく、埋め込み金属との接触面を広げることができ、接触抵抗の低い多層配線を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【構成】 下層配線層と上層配線層との間を埋め込み金属で接続する多層配線を有する半導体素子において、前記下層配線層と埋め込み金属との接触面23aがスルーホール径よりも大きい形状を有するようにした。

Claim (excerpt)：

下層配線層と上層配線層との間を埋め込み金属で接続する多層配線を有する半導体素子において、前記下層配線層と埋め込み金属との接触面がスルーホール径よりも大きい形状を有する多層配線を有する半導体素子。