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J-GLOBAL ID：200903051660635555
半導体センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
,
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203304
Publication number (International publication number)：1993029634
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 被測定物理量の変化の割合が小さくても大きな出力が得られるようにする。【構成】 複数のゲージ抵抗(2〜5)にて構成されたブリッジ回路(B)の一方の出力端と他方の出力端の各々に設けられ、前記ブリッジ回路の各出力端における出力電圧の変化の範囲が入出力伝達特性の直線部分に入るようにバイアス電圧が設定されたCMOSインバータ(7,8)を具備する。
Claim (excerpt)：
複数のゲージ抵抗にて構成されたブリッジ回路を有する半導体センサにおいて、前記ブリッジ回路の一方の出力端と他方の出力端の各々に設けられ、前記ブリッジ回路の各出力端における出力電圧の変化の範囲が入出力伝達特性の直線部分に入るようにバイアス電圧が設定されたCMOSインバータを具備することを特徴とする半導体センサ。
IPC (3)：
H01L 29/84
, G01P 15/12
, H01L 27/092
