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J-GLOBAL ID：200903051676192327

シリコーン組成物およびその製造方法

Inventor： 渡辺 純一郎 ,  上野 秀樹
Applicant, Patent owner： 東芝シリコーン株式会社
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001064
Publication number (International publication number)：1995207160
Application date： Jan. 11, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 金属の性質、すなわち熱伝導性、電気伝導性、電磁波・放射線吸収性を付与し、かつより均一性に優れたシリコーン組成物を提供する。【構成】 (A)平均単位式RaSiO(4-a)/2 (ここで、R は同種または異種の非置換または置換1価炭化水素基、a は1.90〜2.70の数)で示されるポリオルガノシロキサン 100重量部、(B) 微粉末充填剤2〜1000重量部、(C) 融点が(A) の熱分解温度以下で、常温で固体状の低融点金属あるいは合金5〜1000重量部とからなるシリコーン組成物。

Claim (excerpt)：

(A) 平均単位式RaSiO(4-a)/2(ここで、R は同種または異種の非置換または置換1価炭化水素基、a は1.90〜2.70の数)で示されるポリオルガノシロキサン 100重量部(B) 微粉末充填剤2〜1000重量部(C) 融点が(A) の熱分解温度以下で、常温で固体状の低融点金属あるいは合金5〜1000重量部とからなるシリコーン組成物。

IPC (3)：

C08L 83/04 LRX ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/36