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J-GLOBAL ID：200903051676506178

レジストの除去方法

Inventor： 重光 由美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998200965
Publication number (International publication number)：2000031126
Application date： Jul. 15, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 薬液によってアッシング残渣を除く工程を用いることなく、アッシングのみによって高いスループットで行えるレジスト除去方法を提供する【解決手段】 真空チャンバ内に酸素ガスを導入し基板を載せるステージに高周波電圧を印加することにより酸素プラズマを生成し該プラズマ中でレジストを有する基板のレジストのアッシングを行った後に、同じ真空チャンバ内に酸素ガスに微量のフッ素系ガスの添加された混合ガスを導入し、マイクロ波ないしは高周波電磁界により該混合ガスのプラズマを生成しダウンフローによって残ったレジストおよび残渣を選択的にアッシングして除去する。

Claim (excerpt)：

上部にマイクロ波または高周波電力導入部を配置し、基板配置部に近接して高周波電極を配置してなるプラズマアッシング装置内にレジストが被着された基板を配置する工程と、前記アッシング装置にアッシングガスを導入しつつ前記基板配置部に近接した高周波電極に高周波電力を供給して前記アッシングガスのプラズマを発生させ前記基板に対しアッシング処理する第一のアッシング工程と、前記アッシング装置内に前記アッシングガスにプロモートガスを混合した混合ガスを導入しつつ、前記マイクロ波または高周波導入部からマイクロ波または高周波電力を導入して前記混合ガスのプラズマを発生させ、前記基板にダウンフローを行って、前記基板に対しアッシング処理する第二のアッシング工程とを有することを特徴とするレジストの除去方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/30 572 A

F-Term (15)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12 ,  5F046MA13