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J-GLOBAL ID：200903051728854374

プラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法

Inventor： 上田 雄大 ,  小泉 克之 ,  鈴木 公貴
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002109189
Publication number (International publication number)：2003303813
Application date： Apr. 11, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置の真空処理室内部品が高電圧に帯電することを防止することができ、絶縁性材料が放電等により破壊されることを防止することのできるプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法を提供する。【解決手段】 真空処理室内に半導体ウエハWが配置されず、かつ、真空処理室内にプラズマが生起されない状態で絶縁性流体の循環が行われるアイドル状態に切り換えられると、真空処理室内への窒素ガスパージ(N2 パージ)を開始し、真空処理室内が例えば、略27Pa(200mTorr)の所定圧力となるように圧力制御を行う。

Claim (excerpt)：

プラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を行う真空処理室と、内部に熱媒体の流路を有する導電性材料で形成されるブロックと、前記ブロックに接するように配置され少なくとも一部が絶縁性材料で形成された真空処理室内部品とを有し、前記流路内に熱媒体としての絶縁性流体を流して前記真空処理室内部品を温度制御するプラズマ処理装置において、前記被処理体が前記真空処理室内になく、且つプラズマを発生させない状態で前記流路に前記絶縁性流体を流す時に、不活性ガスを前記真空処理室内に供給しつつ前記真空処理室内を所定の圧力に制御することにより、前記真空処理室内部品の帯電圧の上昇を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 105 A

F-Term (11)：

5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB11