Pat
J-GLOBAL ID：200903051731527732

新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
大澤 洋一

About 大澤 洋一

, 
小林 克浩

About 小林 克浩

, 
柳 義敬

About 柳 義敬

, 
前田 和規

About 前田 和規


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003035055
Publication number (International publication number)：2004244358
Application date： Feb. 13, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：
【解決手段】下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。【化1】(Rは水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10のアルキル基又は炭素数6〜14のアリール基を示す。pは1又は2、qは0又は1、p+q=2を満足する。nは2又は3、n’は0又は1、mは3〜11の整数、kは0〜4の整数。)【効果】本発明のスルホニルジアゾメタン及びそれを用いた化学増幅型レジスト材料は、スルホニルジアゾメタンに長鎖アルコキシル基を複数含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。
IPC (6)：
C07C317/28 ,  C08F12/24 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (7)：
C07C317/28 ,  C08F12/24 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (48)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AB92 ,  4H006TA02 ,  4H006TB04 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AB07P ,  4J100AJ02P ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AM43Q ,  4J100AM43R ,  4J100AR10Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA14P ,  4J100BA14Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA72Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC21P ,  4J100BC21Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM