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J-GLOBAL ID：200903051737740128
シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019689
Publication number (International publication number)：1994216116
Application date： Jan. 12, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗布形成して絶縁膜を形成する場合も樹脂同士の密着性を改善し、塗布むらや、膜剥がれの発生を解消し、樹脂を複数回重ねて塗布形成することの平坦性向上の利点を生かした絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 有機系のシリコーン樹脂(SOG)1a,1bを複数回重ねて塗布形成する際、下層の有機系のシリコーン樹脂の少なくとも1層1aに、酸素プラズマ処理等の無機化雰囲気でのプラズマ処理等で表面無機化処理を施す。
Claim (excerpt)：
有機系のシリコーン樹脂により絶縁膜を形成するとともに、有機系のシリコーン樹脂は複数回重ねて塗布形成する絶縁膜形成方法において、有機系のシリコーン樹脂が重ねて塗布される下層の有機系のシリコーン樹脂の少なくとも1層は、表面無機化処理されていることを特徴とするシリコーン樹脂による絶縁膜形成方法。
IPC (2)：
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