半導体ウエーハの加工方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野尚純 , 奥貫佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004012140
Publication number (International publication number)：2005209719
Application date： Jan. 20, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜との積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなく個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】切削ブレードの幅より広くストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、このレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより半導体基板を切削する切削工程とを含み、パルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をY(Hz)、加工送り速度(ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度)をV(mm/秒)、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをLとした場合に、L>(V/Y)を満たす加工条件に設定されている。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの加工方法であって、該半導体ウエーハの該ストリートに該切削ブレードの幅より広く該ストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し該半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、該半導体ウエーハの該ストリートに形成された該レーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより該半導体基板を切削する切削工程と、を含み、該レーザー加工溝形成工程は、該ストリートに照射されるパルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をY(Hz)、加工送り速度(ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度)をV(mm/秒)、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをLとした場合に、L>(V/Y)を満たす加工条件に設定されている、ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (2)：

H01L21/301 , B23K26/00

FI (3)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D , H01L21/78 F

F-Term (8)：

4E068AD01 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CA09 , 4E068CA15 , 4E068CD05 , 4E068CD10 , 4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

レーザビームを使用した加工機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-131776 Applicant：株式会社ディスコ

Cited by examiner (4)

特開平4-178286
特開平4-167986
半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-059790 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page