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J-GLOBAL ID：200903051740528083

光半導体素子及びその製造方法

Inventor： 阪口 眞弓 ,  古山 英人 ,  高岡 圭児 ,  櫛部 光弘 ,  手塚 勉 ,  吉田 春彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241892
Publication number (International publication number)：1994097566
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】スループットの低下や反射鏡の特性低下を防止し得る光半導体素子を提供すること。【構成】n型InP基板1上に形成されたInGaAsP活性層4と、このInGaAsP活性層4の上部に形成されたp型InP層7と空隙14との積層構造を有する半導体多層膜光反射器8と、InGaAsP活性層4の下部に形成された誘電体反射膜19とを備え、Δνs -Δνmax >Δνg を満す。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された活性層及び半導体膜又は誘電体膜が空隙を挟んで積層されてなる光反射器を具備してなり、前記光反射器の垂直入射時における共鳴周波数及びストップバンドの周波数半幅をそれぞれν0 及びνs 、前記活性層で生成した光が前記半導体膜又は前記誘電体膜から前記空隙に進むときの全反射角をθc 、前記全反射角における前記光反射器の垂直入射時との共鳴周波数のずれをΔνmax (=ν0 (1/cosθc -1)、周波数で表した前記活性層の増幅帯域の半値幅をΔνg とした場合、Δνs -Δνmax >Δνg を満してなることを特徴とする光半導体素子。