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J-GLOBAL ID：200903051741653779

パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

Inventor： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999201611
Publication number (International publication number)：2001033984
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 露光波長限界を超えるパターン形成を可能とするパターン形成方法を得る。【解決手段】 第1のネガ型レジストパターン6aに、塩基性の有機膜を設け、熱処理して、第1のネガ型レジストパターン6aの表面部へ塩基性成分を拡散し、剥離液により有機膜と第1のネガ型レジストパターン6aの表面部を溶解除去して第2のネガ型レジストパターン8を形成する。

Claim (excerpt)：

ネガ型レジスト膜を露光し現像して第1のネガ型レジストパターンを形成する第1の工程、この第1のネガ型レジストパターンの表面に有機膜を設ける第2の工程、並びに上記第1のネガ型レジストパターンの一部と上記有機膜を除去して第2のネガ型レジストパターンを形成する第3の工程を施すパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 572 Z

F-Term (19)：

2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025EA05 ,  2H025FA09 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096CA14 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA04 ,  5F046MA02 ,  5F046MA18