Pat

J-GLOBAL ID：200903051742195197

面発光半導体レーザとその製造方法

Inventor： 大坪 孝二
Applicant, Patent owner： 技術研究組合新情報処理開発機構 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037920
Publication number (International publication number)：1996236865
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザとその製造方法に関し、電極の形成が容易で、簡単な方法によって電流狭窄構造を形成することができる垂直共振器型の面発光半導体レーザとその製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板1の上に、n-GaAs層21 とn-InGaP層22 からなるn型多層膜反射鏡2を形成し、このn型多層膜反射鏡2の上にエッチングマスクを形成し、このマスクを用いてn型多層膜反射鏡を構成するn-GaAs層21 、n-InGaP層22 の1層以上をエッチングしてメサ構造を形成し、このメサ構造の頂上以外の表面にp型の不純物を拡散して電流狭窄層4を形成し、このマスクを除去した後、このメサ構造の上にn-AlGaAsクラッド層51 、ノンドープの活性層6、p-AlGaAsクラッド層72 、p-GaAs層81 とp-AlAs層82 からなるp型半導体多層膜反射鏡8を積層して面発光半導体レーザを製造する。

Claim (excerpt)：

メサ構造を有する一導電型の半導体多層膜反射鏡と、該メサ構造の少なくとも頂上を含む領域上に形成された活性層を含む面発光半導体レーザにおいて、該メサ構造の頂上以外の表面に電流狭窄層が設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G09F 13/20 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G09F 13/20 A ,  H01L 33/00 A