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J-GLOBAL ID：200903051750808769

薄膜トランジスタ

Inventor： 国井 正文 ,  池田 裕幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997116154
Publication number (International publication number)：1998233514
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタに含まれる絶縁膜を改質して長期信頼性を確保する。【解決手段】 薄膜トランジスタは半導体薄膜5と、その下面側に接して形成されたゲート酸化膜3と、半導体薄膜5の上面側に接して形成されたエッチングストッパー膜6と、ゲート酸化膜3を介して半導体薄膜5の直下に位置するゲート電極1とを含む積層構造を有し、600°C以下のプロセス温度で絶縁基板0上に形成される。エッチングストッパー膜6はその膜質を表わすフラットバンド電圧の絶対値がゲート酸化膜3のフラットバンド電圧の絶対値と実質的に同等に形成されている。半導体薄膜5は多結晶シリコンからなり、ゲート酸化膜3及びエッチングストッパー膜6は二酸化シリコンからなる。これら二酸化シリコンのフラットバンド電圧の絶対値が2V以下に制御されている。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜と、その一面側に接して形成されたゲート絶縁膜と、該半導体薄膜の他面側に接して形成され該ゲート絶縁膜に対向する対向絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構造を有し600°C以下のプロセス温度で絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタであって、前記対向絶縁膜はその膜質を表わすフラットバンド電圧の絶対値が前記ゲート絶縁膜のフラットバンド電圧の絶対値と実質的に同等に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 626 Z ,  H01L 29/78 627 G